LENTERATIMES.COM - Exynos 2500, flagship System on Chip (SoC) terbaru dari Samsung, diharapkan memiliki efisiensi daya yang lebih baik daripada Snapdragon 8 Gen 4 dari Qualcomm.
Exynos 2500 ini memiliki teknologi proses 3nm generasi kedua dari Samsung Foundry yang mengadopsi struktur transistor Gate-All-Around (GAA).
Diantara persaingan dengan Snapdragon 8 Gen 4, Exynos 2500 diyakini akan menonjol terutama dalam hal efisiensi daya.
Teknologi Proses 3nm Generasi Kedua dari Samsung Foundry
Exynos 2500 diprediksi akan menggunakan teknologi proses 3nm generasi kedua dari Samsung Foundry. Teknologi ini dilengkapi dengan desain transistor terbaru, yaitu GAA.
Sementara itu, Snapdragon 8 Gen 4, diproduksi oleh TSMC, juga menggunakan teknologi proses 3nm, namun masih mengandalkan struktur desain transistor FinFET yang lebih kuno.
Keunggulan Desain Transistor GAA
Dibandingkan dengan FinFET, desain transistor GAA memiliki keunggulan yang signifikan. GAA menggunakan desain transistor dengan "gerbang" di keempat sisi kanal transistor, yang menghasilkan pengendalian arus yang lebih baik.
Ini mengurangi kebocoran arus, meningkatkan efisiensi daya secara keseluruhan, dan memungkinkan arus yang lebih besar untuk melewati kanal transistor. Sebaliknya, desain FinFET hanya memungkinkan untuk menutup tiga sisi kanal saja.
Tantangan Snapdragon 8 Gen 4 dalam Efisiensi Daya
Berbagai laporan sebelumnya telah mengungkapkan bahwa Snapdragon 8 Gen 4 menghadapi tantangan dalam hal efisiensi daya.
Baca Juga: Tujuan Tradisi Meugang Masyarakat Aceh, Tradisi Unik Menyambut Bulan Suci Ramadhan
Hal ini dapat mengharuskan produsen smartphone untuk menyediakan baterai dengan kapasitas lebih besar guna mengatasi masalah tersebut. Dari segi efisiensi daya, Exynos 2500 diprediksi akan unggul jauh dibandingkan dengan Snapdragon 8 Gen 4.